重庆首座采用模块化2.0版 技术建设的智能变电站投运

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首座提出由于半共格界面存在周期性错配（图1）。综上所述，采用文章拓展了固态相变研究方法，采用首次利用中子全散射方法分析合金短程有序结构，并基于其结构特点分析相变过程，为固态相变研究提供新方法。

对于半共格界面其界面错排周期性如图1(b)所示，模块其错排周期性仅由两相界面原子的周期性决定。在理论上，技术建设分析相变的最重要模型经典形核理论并没有应用于分析原子级相变过程。一、智电站【导读】传统观点认为扩散型相变和位移型相变是两种不同的相变，但是新相和母相之间的界面都具有恒定的界面能。

在原子级尺度上，投运界面能存在周期性，投运并导致出现周期性能量势垒（图2），扩散型相变不能通过传统认为的单个原子发生迁移穿过相界面进行，而是由界面周期性决定的cell为单位进行，因此扩散型相变是一种扩散控制的在原子尺度上的位移过程，元素扩散在cell内进行，通过成分变化降低能垒，当cell内的自由能高于界面能垒时，以cell为单位进行切变形成新相。同时由于周期性能垒的出现，重庆这种相变形核后仍需要热激活才能进行。

图3双相Mg-Li合金扩散控制cell位移相变过程示意图为证实上述理论，首座研究团队以双相Mg-Li合金为研究对象，首座利用中子全散射分析α相和β相cell中最普遍原子排布。

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